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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

総合得点
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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

総合得点
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB 考慮すべき理由
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 51
    周辺 -143% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.6 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.0 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    51 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 18.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.6 left arrow 14.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2049 left arrow 3356

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