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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

総合得点
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

総合得点
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 49
    周辺 -75% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    21.6 left arrow 10
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    18.2 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    10.0 left arrow 21.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 18.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2116 left arrow 3890

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Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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メモリRAM
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
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メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Kingston 9905701-032.A00G 16GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
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Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
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AMD AE34G1601U1 4GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
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