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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

総合得点
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

総合得点
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB 考慮すべき理由
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 42
    周辺 -68% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR5
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2423 left arrow 3419

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