RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
star star star star star
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,404.5 left arrow 12.8
    テスト平均値
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB 考慮すべき理由
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 104
    周辺 -333% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 17.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 3257

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
メモリRAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
メモリRAM
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
メモリRAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
メモリRAM