RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB

総合得点
star star star star star
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 16.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,404.5 left arrow 14.1
    テスト平均値
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 104
    周辺 -189% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 6400
    周辺 4 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    104 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    3,192.0 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,404.5 left arrow 14.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    786 left arrow 3414

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAMの比較

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
メモリRAM