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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingston KVR533D2N4 512MB

総合得点
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

総合得点
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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    73 left arrow 75
    周辺 3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 4200
    周辺 1.26% 高帯域
Kingston KVR533D2N4 512MB 考慮すべき理由
Kingston KVR533D2N4 512MB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    1,672.1 left arrow 1,423.3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    73 left arrow 75
  • 読み出し速度、GB/s
    3,510.5 left arrow 1,943.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,423.3 left arrow 1,672.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 4200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 4-4-4-12 / 533 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    476 left arrow 301

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Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
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