RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 17.3
    テスト平均値
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 69
    周辺 -200% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.3 left arrow 1,441.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    69 left arrow 23
  • 読み出し速度、GB/s
    3,325.1 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,441.2 left arrow 14.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    525 left arrow 3036

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAMの比較

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB RAMの比較

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
メモリRAM