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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
比較する
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
総合得点
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
総合得点
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
13.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
24
69
周辺 -188% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
6.5
1,441.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
69
24
読み出し速度、GB/s
3,325.1
13.8
書き込み速度、GB/秒
1,441.2
6.5
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
525
1983
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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