RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
比較する
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
総合得点
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
60
周辺 -58% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.2
15.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.3
11.0
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
60
38
読み出し速度、GB/s
15.3
16.2
書き込み速度、GB/秒
11.0
13.3
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2359
2944
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGE85F-C8KL9A 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link