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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
総合得点
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
総合得点
AMD R9S48G3206U2S 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
37
周辺 11% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11% 高帯域
考慮すべき理由
AMD R9S48G3206U2S 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
20.6
15.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.9
11.9
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
33
37
読み出し速度、GB/s
15.8
20.6
書き込み速度、GB/秒
11.9
13.9
メモリ帯域幅、mbps
21300
19200
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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