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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
総合得点
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25% 高帯域
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
35
周辺 -30% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18
15.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
27
読み出し速度、GB/s
15.7
18.0
書き込み速度、GB/秒
11.8
14.5
メモリ帯域幅、mbps
21300
17000
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2767
3531
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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