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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

総合得点
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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 49
    周辺 20% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.5 left arrow 5.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01% 高帯域
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    39 left arrow 49
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 8.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    11.5 left arrow 5.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
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