RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
    周辺 1.2% 高帯域
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 38
    周辺 -31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.5 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 12.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 20.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 15.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 3587

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
メモリRAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
メモリRAM