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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

総合得点
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

総合得点
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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 46
    周辺 17% 低遅延
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB 考慮すべき理由
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 15.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.8 left arrow 12.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    38 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    15.5 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 12.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2283 left arrow 2936

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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
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メモリRAM
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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