RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
比較する
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
総合得点
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
総合得点
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
45
周辺 -105% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
11.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
8.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
22
読み出し速度、GB/s
11.9
17.0
書き込み速度、GB/秒
8.1
11.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2077
3112
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAMの比較
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.D8F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link