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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
比較する
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs AMD R748G2400S2S 8GB
総合得点
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
総合得点
AMD R748G2400S2S 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
46
135
周辺 66% 低遅延
考慮すべき理由
AMD R748G2400S2S 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.2
12.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
7.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
AMD R748G2400S2S 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
135
読み出し速度、GB/s
12.2
15.2
書き込み速度、GB/秒
7.9
8.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2072
1359
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
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