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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

総合得点
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

総合得点
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Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB 考慮すべき理由
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 47
    周辺 -47% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 11.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 8.0
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    47 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    11.8 left arrow 14.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 13.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow no data
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2061 left arrow 2918

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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Kingston 9905704-007.A00G 4GB
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メモリRAM
Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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