Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB

総合得点

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

総合得点

G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

考慮すべき理由
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB

考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 47

周辺 -57% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

17 11.8

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

13.2 8.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 12800

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

47 30
読み出し速度、GB/s

11.8 17.0
書き込み速度、GB/秒

8.0 13.2
メモリ帯域幅、mbps

12800 17000

Other

商品説明

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2061 3117

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB

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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB

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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

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Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB

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