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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Inmos + 256MB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Inmos + 256MB

総合得点
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

総合得点
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Inmos + 256MB

Inmos + 256MB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12 left arrow 11.5
    テスト平均値
Inmos + 256MB 考慮すべき理由
Inmos + 256MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 45
    周辺 -50% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.1 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    16800 left arrow 12800
    周辺 1.31 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Inmos + 256MB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    45 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 11.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 9.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 16800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1939 left arrow 2318

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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