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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

総合得点
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    44 left arrow 67
    周辺 34% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13 left arrow 6.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 3.4
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 67
  • 読み出し速度、GB/s
    13.0 left arrow 6.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 3.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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