RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 48
    周辺 -45% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.8 left arrow 8.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    8.9 left arrow 14.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1420 left arrow 1967

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAMの比較

G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
メモリRAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
メモリRAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
メモリRAM