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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
総合得点
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
11.1
10.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
8.0
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
41
周辺 -17% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
35
読み出し速度、GB/s
11.1
10.3
書き込み速度、GB/秒
8.2
8.0
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1348
2327
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