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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

総合得点
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    31 left arrow 43
    周辺 28% 低遅延
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11 left arrow 9.8
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.2 left arrow 6.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    31 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    9.8 left arrow 11.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.7 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1304 left arrow 1393

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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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メモリRAM
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Kingston 9905598-039.A00G 16GB
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メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston 9905664-010.A00G 4GB
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メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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