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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Super Talent F21UB8GS 8GB

総合得点
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
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Super Talent F21UB8GS 8GB

Super Talent F21UB8GS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Super Talent F21UB8GS 8GB 考慮すべき理由
Super Talent F21UB8GS 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 43
    周辺 -95% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14 left arrow 11
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 22
  • 読み出し速度、GB/s
    11.0 left arrow 14.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.2 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1393 left arrow 2200

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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
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メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Kingston 9965640-006.A01G 32GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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