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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
比較する
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
総合得点
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
総合得点
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11% 高帯域
考慮すべき理由
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
46
周辺 -24% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
21.4
14.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.3
13.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
46
37
読み出し速度、GB/s
14.2
21.4
書き込み速度、GB/秒
13.6
14.3
メモリ帯域幅、mbps
21300
19200
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2717
3448
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB RAMの比較
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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