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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
総合得点
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
37
周辺 -37% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.8
14.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
10.6
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
27
読み出し速度、GB/s
14.7
17.8
書き込み速度、GB/秒
10.6
13.8
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2438
3299
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
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