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SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

総合得点
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SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB

総合得点
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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
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Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB 考慮すべき理由
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    52 left arrow 61
    周辺 -17% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,384.7 left arrow 2,042.4
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    61 left arrow 52
  • 読み出し速度、GB/s
    4,448.3 left arrow 5,635.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,042.4 left arrow 2,384.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    860 left arrow 1037

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