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SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB vs Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

総合得点
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SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB

総合得点
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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 43
    周辺 37% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 11
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.6 left arrow 7.2
    テスト平均値
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT125S6TFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    11.9 left arrow 11.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.6 left arrow 7.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1378 left arrow 1393

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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Kingston 9905713-017.A00G 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
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メモリRAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
メモリRAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
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Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
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Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
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