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SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB vs Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

総合得点
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SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB

SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB

総合得点
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Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    46 left arrow 50
    周辺 8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.7 left arrow 9.6
    テスト平均値
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB 考慮すべき理由
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 7.3
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT151R7BFR4C-H9 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 50
  • 読み出し速度、GB/s
    10.7 left arrow 9.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2058 left arrow 2082

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Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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