RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
バグを報告する
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 58
    周辺 -176% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.6 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.0 left arrow 6.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    58 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    8.2 left arrow 18.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.4 left arrow 15.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1718 left arrow 3255

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB RAMの比較

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT102464BF1339.C16 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
メモリRAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
メモリRAM
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
メモリRAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
INTENSO 5641162 8GB
INTENSO 5641162 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
メモリRAM