RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
比較する
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
総合得点
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
総合得点
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
バグを報告する
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
51
周辺 -96% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.7
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.5
8.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
26
読み出し速度、GB/s
9.8
17.7
書き込み速度、GB/秒
8.2
14.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2182
3547
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link