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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

総合得点
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Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Micron Technology ILG8GS2400A 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 43
    周辺 -72% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.4 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 11.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1706 left arrow 2549

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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
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メモリRAM
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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