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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
総合得点
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
総合得点
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
37
周辺 -3% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.8
9.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
14900
周辺 1.43 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
37
36
読み出し速度、GB/s
9.8
15.8
書き込み速度、GB/秒
7.2
11.8
メモリ帯域幅、mbps
14900
21300
Other
商品説明
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2065
2497
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-008.A00G 16GB
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