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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB vs SK Hynix HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
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SK Hynix HMT41GU6AFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 48
    周辺 -14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 11.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.5 left arrow 7.8
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    48 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    11.6 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 8.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2029 left arrow 2316

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メモリRAM
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Super Talent F24EB8GS 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Kingston 9905713-019.A00G 4GB
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メモリRAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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