RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
バグを報告する
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 41
    周辺 -46% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 13.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 9.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    13.7 left arrow 17.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.3 left arrow 13.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2290 left arrow 3446

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB RAMの比較

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB RAMの比較

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
Samsung M471B1G73CB0-CK0 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Kingston 99U5403-159.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
メモリRAM
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
メモリRAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
メモリRAM