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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 38
    周辺 29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.8 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 6.0
    テスト平均値
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-PB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    14.8 left arrow 9.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 6.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2650 left arrow 1767

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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
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メモリRAM
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
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メモリRAM
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
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Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
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