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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

総合得点
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 46
    周辺 39% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 12.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 7.9
    テスト平均値
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 46
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 12.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1822 left arrow 2072

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