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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    19 left arrow 28
    周辺 -47% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.7 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 19
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 18.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 14.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1822 left arrow 3220

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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
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メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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