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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

総合得点
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SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 43
    周辺 35% 低遅延
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 12.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 8.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    12.6 left arrow 13.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 8.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1822 left arrow 2185

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メモリRAM
AMD R7416G2400U2S 16GB
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Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
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SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
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SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
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メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
メモリRAM
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Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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