RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
バグを報告する
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 41
    周辺 -58% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.9 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.2 left arrow 7.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 18.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 16.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1484 left arrow 3857

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAMの比較

Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
メモリRAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
メモリRAM