RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 77
    周辺 47% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.1 left arrow 6.9
    テスト平均値
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB 考慮すべき理由
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 77
  • 読み出し速度、GB/s
    10.1 left arrow 13.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.1 left arrow 6.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1484 left arrow 1549

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAMの比較

Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
メモリRAM
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
メモリRAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
メモリRAM