RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
バグを報告する
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 42
    周辺 -11% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.6 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.2 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 14.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 12.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2535 left arrow 2915

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAMの比較

SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB RAMの比較

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
メモリRAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology C 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
メモリRAM