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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

総合得点
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Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB 考慮すべき理由
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 44
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.4 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 10.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1977 left arrow 2680

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G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
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Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
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メモリRAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
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G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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