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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB vs OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

総合得点
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SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB

総合得点
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OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 55
    周辺 47% 低遅延
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB 考慮すべき理由
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19 left arrow 11.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 5.9
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 55
  • 読み出し速度、GB/s
    11.3 left arrow 19.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.9 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1605 left arrow 2239

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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
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メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
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メモリRAM
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
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PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
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