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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

総合得点
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

総合得点
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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    60 left arrow 68
    周辺 12% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    5 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,381.6 left arrow 1,702.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
    周辺 1.21% 高帯域
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB 考慮すべき理由
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    60 left arrow 68
  • 読み出し速度、GB/s
    5,082.2 left arrow 3,886.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,381.6 left arrow 1,702.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 5300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 667 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    925 left arrow 654

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