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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 66
    周辺 58% 低遅延
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 66
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 2429

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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
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メモリRAM
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
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メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
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Corsair CMZ32GX3M4X1600C10 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
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