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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs AMD R748G2400U2S-UO 8GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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AMD R748G2400U2S-UO 8GB

AMD R748G2400U2S-UO 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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AMD R748G2400U2S-UO 8GB 考慮すべき理由
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    21 left arrow 28
    周辺 -33% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.2 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.7 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 21
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 18.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 13.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 3120

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メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston 9965589-035.D00G 16GB
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メモリRAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Kingston 9905702-007.A00G 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
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メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
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メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Kingston 9905744-024.A00G 16GB
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