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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.0 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 17.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 13.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 3211

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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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