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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB 考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 28
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.9 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 18.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 16.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 3866

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メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
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