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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

総合得点
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

総合得点
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 考慮すべき理由
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB 考慮すべき理由
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 28
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 9.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.3 left arrow 5.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    9.4 left arrow 14.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    5.5 left arrow 7.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1453 left arrow 2013

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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
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メモリRAM
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
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Kingston KHX2666C16/8G 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Kingston 9965589-033.D00G 8GB
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メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
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メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
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